Накопитель SSD 1ТB Samsung 980 Pro M.2 2280 PCIe 4.0 x4 NVMe V-NAND 3D TLC (MZ-V8P1T0CW)

Найкраща у світі флеш-пам"ять
Відкрийте для себе найкращі показники роботи й надійність від найкращого з 2003 року у світі бренду флеш-пам"яті. Усе вбудоване програмне забезпечення та компоненти, зокрема відомі у світі DRAM і NAND від Samsung, розробляються самою компанією. Таким способом забезпечується комплексна інтеграція та якість, якій ви можете довіряти.

Показники роботи SSD наступного покоління
Вивільніть потужність Samsung PCIe 4.0 NVMe SSD 980 PRO для комп"ютерних систем наступного покоління. Завдяки використанню інтерфейсу PCIe 4.0, 980 PRO забезпечує вдвічі швидшу швидкість передачі даних, ніж з PCIe 3.0. Окрім того, 980 PRO також сумісний із попередньою версією PCIe 3.0 для додаткової багатозадачності.

Переможне поєднання
Розробляючи 980 PRO, ми прагнули задовольнити потреби затятих геймерів і технічно грамотних користувачів. Пристрій пропонує високу пропускну здатність і швидкість обробки інформації для складних ігор, графіки, аналізу даних тощо. Він може швидко запускати ігри, щоб ви більше грали та менше чекали.

Ефективний M.2 SSD
980 PRO виконано в компактному формфакторі M.2 2280, тому його легко підключити до настільних комп’ютерів і ноутбуків для максимальної гнучкості дизайну. Накопичувач підходить для створення високопродуктивних комп"ютерних систем завдяки оптимізованій енергоефективності.

Надійне терморегулювання
Високопродуктивні SSD зазвичай потребують високопродуктивного терморегулювання. Для стабільної роботи корпус 980 PRO вкрито нікелем. Це допомагає управляти рівнем температури контролера й тепловідводом для забезпечення ефективного терморегулювання чіпу NAND.

Інтелектуальне рішення теплового завдання
Оснащений надсучасним алгоритмом терморегулювання від Samsung, 980 PRO самостійно управляє теплом, що гарантує його тривалу й надійну роботу. Для того щоб мінімізувати коливання потужності під час тривалої роботи, технологія Samsung Dynamic Thermal Guard підтримує температуру 980 PRO на оптимальному рівні.